生产批次：{"05+"：1120，"06+"：120，"07+"：3560，"08+"：560，"09+"：3910，"MI+"：403}

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3823BDW

启动电压：16V

拓扑结构：升压，降压，反激，正激

输出隔离：非隔离

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：100%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~22V

特性：限流，频率控制，软启动

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3823BDW

启动电压：16V

拓扑结构：升压，降压，反激，正激

输出隔离：非隔离

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：100%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~22V

特性：限流，频率控制，软启动

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：1120，"06+"：120，"07+"：3560，"08+"：560，"09+"：3910，"MI+"：403}

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3823BDW

启动电压：16V

拓扑结构：升压，降压，反激，正激

输出隔离：非隔离

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：100%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~22V

特性：限流，频率控制，软启动

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：1120，"06+"：120，"07+"：3560，"08+"：560，"09+"：3910，"MI+"：403}

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3823BDW

启动电压：16V

拓扑结构：升压，降压，反激，正激

输出隔离：非隔离

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：100%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~22V

特性：限流，频率控制，软启动

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：1120，"06+"：120，"07+"：3560，"08+"：560，"09+"：3910，"MI+"：403}

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3823BDW

启动电压：16V

拓扑结构：升压，降压，反激，正激

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工作温度：-55℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：100%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~22V

特性：限流，频率控制，软启动

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：1120，"06+"：120，"07+"：3560，"08+"：560，"09+"：3910，"MI+"：403}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3823BDW

启动电压：16V

拓扑结构：升压，降压，反激，正激

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工作温度：-55℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：100%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~22V

特性：限流，频率控制，软启动

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：1120，"06+"：120，"07+"：3560，"08+"：560，"09+"：3910，"MI+"：403}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3823BDW

启动电压：16V

拓扑结构：升压，降压，反激，正激

输出隔离：非隔离

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：100%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~22V

特性：限流，频率控制，软启动

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：1120，"06+"：120，"07+"：3560，"08+"：560，"09+"：3910，"MI+"：403}

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3823BDW

启动电压：16V

拓扑结构：升压，降压，反激，正激

输出隔离：非隔离

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：100%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~22V

特性：限流，频率控制，软启动

ECCN：EAR99

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包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IX4340NE

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

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峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SI

上升时间：22ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

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峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：Tube

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614SI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

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峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614SI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

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驱动配置：低端

包装方式：Tube

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包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SIA

上升时间：22ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

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驱动配置：低端

包装方式：Tube

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包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IX4340N

上升时间：7ns

驱动通道数：2

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

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驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609SI

上升时间：22ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

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包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IX4340NE

上升时间：7ns

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609SI

上升时间：22ns

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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IX4340N

上升时间：7ns

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

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包装方式：Tube

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包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD609SIA

上升时间：22ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614SI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

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包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD609SIA

上升时间：22ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

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驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IX4340NE

上升时间：7ns

驱动通道数：2

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609SI

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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SIA

上升时间：22ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

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驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609SI

上升时间：22ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDF602SIA

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609SI

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

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驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD609SIA

上升时间：22ns

驱动通道数：1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

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驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609SI

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609SIA

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1