包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDI609CI

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD609YI

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27323D

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：1119

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27324D

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：56psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4424MJA

上升时间：23ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IX4340NE

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC37325D

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609YI

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27323D

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC37325DGN

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：11+

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27324D

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3710T

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：85ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.7V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609PI

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：80psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC37323DGN

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27324DGN

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27325DGN

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27324P

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27325D

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN609PI

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC37325P

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27325DGN

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27324DGN

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27323D

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC37324D

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC37324D

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD609YI

上升时间：22ns

驱动通道数：1

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：56psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4429MJA

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27325DGN

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27325D

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDN614PI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1