采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT7A
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：980psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100EIBZ
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT7A
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：980psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101IBZ
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT7A
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN602SIATR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3009E6TA
上升时间：210ns
驱动通道数：1
下降时间：240ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：40V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3009E6TA
上升时间：210ns
驱动通道数：1
下降时间：240ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：40V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3009E6TA
上升时间：210ns
驱动通道数：1
下降时间：240ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：40V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101IBZT7A
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI602SIATR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101IBZT
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213SPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101IBZT
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN602SIATR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101IBZT
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101IBZT
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN602SIATR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：980psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101IBZ
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT7A
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT7A
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3009E6TA
上升时间：210ns
驱动通道数：1
下降时间：240ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：40V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDF602SIATR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3009E6TA
上升时间：210ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：240ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：40V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：980psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101IBZ
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100EIBZT
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3009DYTA
上升时间：210ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：240ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：40V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
