销售单位:个
规格型号(MPN):BD6226FP-E2
上升时间:限流,超温,过压,UVLO
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:电感
电源电压:6V~15V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥(4)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):760psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4081AIBZ
ECCN:EAR99
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:半桥,全桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4081AIBZT
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:半桥,全桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:POWER INTEGRATIONS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):35psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD106AI-17 UC
上升时间:100ns,80ns
ECCN:EAR99
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
电源电压:15V
峰值灌电流:6A,6A
驱动配置:半桥
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4080AIBZT
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:全桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4080AIBZT
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:全桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4080AIBZT
ECCN:EAR99
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:全桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4081AIBZT
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:半桥,全桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4081AIBZT
ECCN:EAR99
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:半桥,全桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:POWER INTEGRATIONS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):35psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD106AI-17 UC
上升时间:100ns,80ns
ECCN:EAR99
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
电源电压:15V
峰值灌电流:6A,6A
驱动配置:半桥
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):760psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4081AIBZ
ECCN:EAR99
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:半桥,全桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BD6226FP-E2
上升时间:限流,超温,过压,UVLO
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:电感
电源电压:6V~15V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥(4)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BD6226FP-E2
上升时间:限流,超温,过压,UVLO
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:电感
电源电压:6V~15V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥(4)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4080AIBZT
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:全桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4080AIBZT
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:全桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4081AIBZT
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:半桥,全桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):720psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4080AIPZ
ECCN:EAR99
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:全桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4081AIBZT
ECCN:EAR99
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:半桥,全桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4080AIBZT
ECCN:EAR99
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:全桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4080AIBZT
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:全桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BD6221HFP-TR
上升时间:限流,超温,过压,UVLO
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:电感
电源电压:6V~15V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥(2)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4081AIBZT
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:半桥,全桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BD6226FP-E2
上升时间:限流,超温,过压,UVLO
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:电感
电源电压:6V~15V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥(4)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BD6226FP-E2
上升时间:限流,超温,过压,UVLO
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:电感
电源电压:6V~15V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥(4)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4080AIBZT
ECCN:EAR99
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:全桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4081AIBZT
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:半桥,全桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):720psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4080AIPZ
ECCN:EAR99
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:全桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"19+":8520}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL99135BDRZ-T
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:DrMOS
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:电感
电源电压:4.75V~5.25V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"19+":8520}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL99135BDRZ-T
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:DrMOS
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:电感
电源电压:4.75V~5.25V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):HIP4080AIBZT
ECCN:EAR99
下降时间:N 沟道 MOSFET
工作温度:-40°C~85°C(TA)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:2.6A
电源电压:9.5V~15V
特性:自举电路
驱动配置:全桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: