采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT
上升时间：击穿
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：105A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：75A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STDRIVE601
上升时间：过流，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET，IGBT
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：350mA
电源电压：9V~20V
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：105A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：75A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：105A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：75A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95481RWJT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：90A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：60A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：105A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：75A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Mps
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP6536DU-LF-Z
上升时间：限流，超温，短路，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电容性
峰值拉电流：5.5A
电源电压：5V~26V
峰值灌电流：5.5A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95481RWJT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：90A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：60A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95481RWJT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：90A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：60A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV7725DQBR2G
上升时间：过流，超温
下降时间：NMOS
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：1.1A
电源电压：3.15V~5.25V
峰值灌电流：500mA
特性：充电泵
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95496QVMT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV7725DQBR2G
上升时间：过流，超温
下降时间：NMOS
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：1.1A
电源电压：3.15V~5.25V
峰值灌电流：500mA
特性：充电泵
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95481RWJT
上升时间：击穿
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：90A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：60A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV7725DQBR2G
上升时间：过流，超温
下降时间：NMOS
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：1.1A
电源电压：3.15V~5.25V
峰值灌电流：500mA
特性：充电泵
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STDRIVE601TR
上升时间：过流，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET，IGBT
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：350mA
电源电压：9V~20V
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Mps
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP6536DU-LF-Z
上升时间：限流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电容性
峰值拉电流：5.5A
电源电压：5V~26V
峰值灌电流：5.5A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95496QVMT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STDRIVE601
上升时间：过流，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET，IGBT
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：350mA
电源电压：9V~20V
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95496QVMT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Mps
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP6536DU-LF-Z
上升时间：限流，超温，短路，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电容性
峰值拉电流：5.5A
电源电压：5V~26V
峰值灌电流：5.5A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STDRIVE601
上升时间：过流，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET，IGBT
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：350mA
电源电压：9V~20V
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：STDRIVE601TR
上升时间：过流，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET，IGBT
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：350mA
电源电压：9V~20V
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：STDRIVE601TR
上升时间：过流，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET，IGBT
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：350mA
电源电压：9V~20V
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95495QVMT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：75A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95496QVMT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95495QVMT
上升时间：击穿
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：75A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：STDRIVE601TR
上升时间：过流，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET，IGBT
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：容性和阻性
峰值拉电流：350mA
电源电压：9V~20V
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95495QVMT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：75A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT
上升时间：击穿
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：105A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：75A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95482RWJT
上升时间：击穿
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
