品牌:ST
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE601
上升时间:过流,超温,UVLO
下降时间:功率 MOSFET,IGBT
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:350mA
电源电压:9V~20V
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV7725DQBR2G
上升时间:过流,超温
下降时间:NMOS
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:1.1A
电源电压:3.15V~5.25V
峰值灌电流:500mA
特性:充电泵
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV7725DQBR2G
上升时间:过流,超温
下降时间:NMOS
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:1.1A
电源电压:3.15V~5.25V
峰值灌电流:500mA
特性:充电泵
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV7725DQBR2G
上升时间:过流,超温
下降时间:NMOS
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:1.1A
电源电压:3.15V~5.25V
峰值灌电流:500mA
特性:充电泵
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE601TR
上升时间:过流,超温,UVLO
下降时间:功率 MOSFET,IGBT
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:350mA
电源电压:9V~20V
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE601
上升时间:过流,超温,UVLO
下降时间:功率 MOSFET,IGBT
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:350mA
电源电压:9V~20V
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE601
上升时间:过流,超温,UVLO
下降时间:功率 MOSFET,IGBT
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:350mA
电源电压:9V~20V
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE601TR
上升时间:过流,超温,UVLO
下降时间:功率 MOSFET,IGBT
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:350mA
电源电压:9V~20V
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE601TR
上升时间:过流,超温,UVLO
下降时间:功率 MOSFET,IGBT
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:350mA
电源电压:9V~20V
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE601TR
上升时间:过流,超温,UVLO
下降时间:功率 MOSFET,IGBT
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:350mA
电源电压:9V~20V
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV7725DQBR2G
上升时间:过流,超温
下降时间:NMOS
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:1.1A
电源电压:3.15V~5.25V
峰值灌电流:500mA
特性:充电泵
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV7725DQBR2G
上升时间:过流,超温
ECCN:EAR99
下降时间:NMOS
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:1.1A
电源电压:3.15V~5.25V
峰值灌电流:500mA
特性:充电泵
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV7725DQBR2G
上升时间:过流,超温
下降时间:NMOS
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:1.1A
电源电压:3.15V~5.25V
峰值灌电流:500mA
特性:充电泵
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV7725DQBR2G
上升时间:过流,超温
ECCN:EAR99
下降时间:NMOS
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:1.1A
电源电压:3.15V~5.25V
峰值灌电流:500mA
特性:充电泵
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE601
上升时间:过流,超温,UVLO
下降时间:功率 MOSFET,IGBT
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:350mA
电源电压:9V~20V
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE601TR
上升时间:过流,超温,UVLO
下降时间:功率 MOSFET,IGBT
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:350mA
电源电压:9V~20V
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE601
上升时间:过流,超温,UVLO
下降时间:功率 MOSFET,IGBT
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
峰值拉电流:350mA
电源电压:9V~20V
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV7725DQBR2G
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥(3)
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
上升时间:过流,超温
电源电压:3.15V~5.25V
峰值拉电流:1.1A
下降时间:NMOS
包装方式:卷带(TR)
负载类型:容性和阻性
特性:充电泵
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV7725DQBR2G
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥(3)
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
上升时间:过流,超温
电源电压:3.15V~5.25V
峰值拉电流:1.1A
下降时间:NMOS
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
负载类型:容性和阻性
特性:充电泵
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:门极驱动器
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE601TR
上升时间:过流,超温,UVLO
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
电源电压:9V~20V
峰值拉电流:350mA
下降时间:功率 MOSFET,IGBT
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:容性和阻性
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV7725DQBR2G
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥(3)
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
上升时间:过流,超温
电源电压:3.15V~5.25V
峰值拉电流:1.1A
下降时间:NMOS
包装方式:卷带(TR)
负载类型:容性和阻性
特性:充电泵
包装清单:商品主体 * 1
库存: