生产批次：{"20+"：400，"23+"：7200}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FSL128MRTWDTU

拓扑结构：反激

晶体管耐压：800V

输出隔离：隔离

耗散功率：40W

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

包装方式：管件

最大占空比：67%

开关频率：67kHz

电源电压：7.5V~26V

特性：限流，过载，超温，过压

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：400，"23+"：7200}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FSL128MRTWDTU

拓扑结构：反激

晶体管耐压：800V

输出隔离：隔离

耗散功率：40W

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

包装方式：管件

最大占空比：67%

开关频率：67kHz

电源电压：7.5V~26V

特性：限流，过载，超温，过压

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：322}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FSL128MRTWDTU

拓扑结构：反激

晶体管耐压：800V

输出隔离：隔离

耗散功率：40W

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

包装方式：管件

最大占空比：67%

开关频率：67kHz

电源电压：7.5V~26V

特性：限流，过载，超温，过压

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：400，"23+"：7200}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FSL128MRTWDTU

拓扑结构：反激

晶体管耐压：800V

输出隔离：隔离

耗散功率：40W

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

包装方式：管件

最大占空比：67%

开关频率：67kHz

电源电压：7.5V~26V

特性：限流，过载，超温，过压

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：400，"23+"：7200}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FSL128MRTWDTU

拓扑结构：反激

晶体管耐压：800V

输出隔离：隔离

耗散功率：40W

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

包装方式：管件

最大占空比：67%

开关频率：67kHz

电源电压：7.5V~26V

特性：限流，过载，超温，过压

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：400，"23+"：7200}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FSL128MRTWDTU

拓扑结构：反激

晶体管耐压：800V

输出隔离：隔离

耗散功率：40W

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

包装方式：管件

最大占空比：67%

开关频率：67kHz

电源电压：7.5V~26V

特性：限流，过载，超温，过压

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FSL128MRTWDTU

拓扑结构：反激

晶体管耐压：800V

输出隔离：隔离

耗散功率：40W

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

包装方式：管件

最大占空比：67%

开关频率：67kHz

电源电压：7.5V~26V

特性：限流，过载，超温，过压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FSL128MRTWDTU

拓扑结构：反激

晶体管耐压：800V

输出隔离：隔离

耗散功率：40W

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

包装方式：管件

最大占空比：67%

开关频率：67kHz

电源电压：7.5V~26V

特性：限流，过载，超温，过压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FSL128MRTWDTU

拓扑结构：反激

晶体管耐压：800V

输出隔离：隔离

耗散功率：40W

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

包装方式：管件

最大占空比：67%

开关频率：67kHz

电源电压：7.5V~26V

特性：限流，过载，超温，过压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FSL128MRTWDTU

拓扑结构：反激

晶体管耐压：800V

输出隔离：隔离

耗散功率：40W

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

包装方式：管件

最大占空比：67%

开关频率：67kHz

电源电压：7.5V~26V

特性：限流，过载，超温，过压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS3850G33DRCR

复位有效电平：低有效

看门狗定时器：1

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

芯片类型：简单复位/加电复位

复位超时：可调节/可选择

受监控电压数：1

输出类型：开路漏极或开路集电极

阈值电压：3.3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：400，"23+"：7200}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FSL128MRTWDTU

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

耗散功率：40W

最大占空比：67%

特性：限流，过载，超温，过压

开关频率：67kHz

ECCN：EAR99

输出隔离：隔离

包装方式：管件

电源电压：7.5V~26V

晶体管耐压：800V

拓扑结构：反激

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS3850G33DRCR

复位有效电平：低有效

看门狗定时器：1

包装方式：卷带（TR）

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

芯片类型：简单复位/加电复位

复位超时：可调节/可选择

受监控电压数：1

输出类型：开路漏极或开路集电极

阈值电压：3.3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：400，"23+"：7200}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FSL128MRTWDTU

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

耗散功率：40W

最大占空比：67%

特性：限流，过载，超温，过压

开关频率：67kHz

ECCN：EAR99

输出隔离：隔离

包装方式：管件

电源电压：7.5V~26V

晶体管耐压：800V

拓扑结构：反激

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT

上升时间：击穿

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：105A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：75A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：700psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STDRIVE601

上升时间：过流，超温，UVLO

下降时间：功率 MOSFET，IGBT

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：容性和阻性

峰值拉电流：350mA

电源电压：9V~20V

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86998GMJT-P

上升时间：限流，ESD，超温，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：125A

电源电压：3V~3.6V

峰值灌电流：80A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：105A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：75A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"24+"：243}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF5822DC

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：55A

特性：Bootstrap Circuit，Latch Function，Status Flag

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5279QI-01

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：150A

电源电压：3V~25V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：105A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：75A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95481RWJT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：105A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：75A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5279QI

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：150A

电源电压：3V~25V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：EPC23101ENGRT

上升时间：ESD，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：氮化镓（GaN）FET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

电源电压：10V~80V

峰值灌电流：65A

特性：自举电路，压摆率受控型

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP6536DU-LF-Z

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电容性

峰值拉电流：5.5A

电源电压：5V~26V

峰值灌电流：5.5A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LMG3522R030RQSR

上升时间：限流（可调），超温，短路，UVLO

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

电源电压：7.5V~18V

峰值灌电流：38A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86920GLV-Z

上升时间：限流，ESD，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：3V~3.6V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86956GMJT-Z

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：125A

电源电压：3V~3.6V

峰值灌电流：70A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：LMG3522R030RQST

上升时间：限流（可调），超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

电源电压：7.5V~18V

峰值灌电流：38A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1