采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC645AER-T1-GE3
上升时间：限流，超温，击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：NMOS
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.75~5.25V
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"14+"：6502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR3742MTRPBF
上升时间：限流，超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~7.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"14+"：6502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR3742MTRPBF
上升时间：限流，超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~7.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC645AER-T1-GE3
上升时间：限流，超温，击穿，UVLO
下降时间：NMOS
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.75~5.25V
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"14+"：6502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR3742MTRPBF
上升时间：限流，超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~7.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC645AER-T1-GE3
上升时间：限流，超温，击穿，UVLO
下降时间：NMOS
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.75~5.25V
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
