销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC645AER-T1-GE3

上升时间：限流，超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.75~5.25V

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC645AER-T1-GE3

上升时间：限流，超温，击穿，UVLO

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.75~5.25V

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC645AER-T1-GE3

上升时间：限流，超温，击穿，UVLO

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.75~5.25V

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1