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品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2819MDBVREP
上升时间：14ns
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2818MDBVREP
上升时间：14ns
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2818MDBVREP
上升时间：14ns
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2819MDBVREP
上升时间：14ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2818MDBVREP
上升时间：14ns
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2819MDBVREP
上升时间：14ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27322MDEP
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2818MDBVREP
上升时间：14ns
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2818MDBVREP
上升时间：14ns
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2818MDBVREP
上升时间：14ns
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27322MDEP
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2819MDBVREP
上升时间：14ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2818MDBVREP
上升时间：14ns
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2819MDBVREP
上升时间：14ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2818MDBVREP
上升时间：14ns
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2818MDBVREP
上升时间：14ns
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2818MDBVREP
上升时间：14ns
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2818MDBVREP
上升时间：14ns
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2818MDBVREP
上升时间：14ns
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2818MDBVREP
上升时间：14ns
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS2819MDBVREP
上升时间：14ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：14ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
