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品牌：RENESAS
分类：DC-DC电源芯片
行业应用：其它
销售单位：个
输出电压：0.8V~6V
包装方式：卷带（TR）
输出电流：3A
功能类型：降压
输出通道：2
拓扑结构：降压
输出类型：可调式
开关频率：1.1MHz
同步整流：是
输入电压：2.85V~6V
工作温度：-55℃~125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：射频开关芯片
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：F2912NCGI8
电路结构：SPDT
供电电压：2.7V~3.6V
工作温度：-55℃~125℃
频率：9kHz~9GHz
包装方式：卷带（TR）
插入损耗：1dB
隔离：27dB
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：DC-DC电源芯片
行业应用：其它
销售单位：个
输出电压：0.8V~6V
包装方式：卷带（TR）
输出电流：3A
功能类型：降压
输出通道：2
拓扑结构：降压
输出类型：可调式
开关频率：1.1MHz
同步整流：是
输入电压：2.85V~6V
工作温度：-55℃~125℃
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：DC-DC电源芯片
行业应用：其它
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包装方式：卷带（TR）
输出电流：3A
功能类型：降压
输出通道：2
拓扑结构：降压
输出类型：可调式
开关频率：1.1MHz
同步整流：是
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品牌：RENESAS
分类：射频开关芯片
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规格型号(MPN)：F2912NCGI8
电路结构：SPDT
供电电压：2.7V~3.6V
工作温度：-55℃~125℃
频率：9kHz~9GHz
包装方式：卷带（TR）
插入损耗：1dB
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分类：射频开关芯片
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规格型号(MPN)：F2912NCGI8
电路结构：SPDT
供电电压：2.7V~3.6V
工作温度：-55℃~125℃
频率：9kHz~9GHz
包装方式：卷带（TR）
插入损耗：1dB
隔离：27dB
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分类：DC-DC电源芯片
行业应用：其它
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包装方式：卷带（TR）
输出电流：3A
功能类型：降压
输出通道：2
拓扑结构：降压
输出类型：可调式
开关频率：1.1MHz
同步整流：是
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输出电流：3A
功能类型：降压
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输出类型：可调式
开关频率：1.1MHz
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分类：射频开关芯片
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规格型号(MPN)：F2912NCGI8
电路结构：SPDT
供电电压：2.7V~3.6V
工作温度：-55℃~125℃
频率：9kHz~9GHz
包装方式：卷带（TR）
插入损耗：1dB
隔离：27dB
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输出电压：0.8V~6V
包装方式：卷带（TR）
输出电流：3A
功能类型：降压
输出通道：2
拓扑结构：降压
输出类型：可调式
开关频率：1.1MHz
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包装方式：卷带（TR）
输出电流：3A
功能类型：降压
输出通道：2
拓扑结构：降压
输出类型：可调式
开关频率：1.1MHz
同步整流：是
输入电压：2.85V~6V
工作温度：-55℃~125℃
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：DC-DC电源芯片
行业应用：其它
销售单位：个
输出电压：0.8V~6V
包装方式：卷带（TR）
输出电流：3A
功能类型：降压
输出通道：2
拓扑结构：降压
输出类型：可调式
开关频率：1.1MHz
同步整流：是
输入电压：2.85V~6V
工作温度：-55℃~125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：射频开关芯片
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：F2912NCGI8
电路结构：SPDT
供电电压：2.7V~3.6V
工作温度：-55℃~125℃
频率：9kHz~9GHz
包装方式：卷带（TR）
插入损耗：1dB
隔离：27dB
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：射频开关芯片
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：F2912NCGI8
电路结构：SPDT
供电电压：2.7V~3.6V
工作温度：-55℃~125℃
频率：9kHz~9GHz
包装方式：卷带（TR）
插入损耗：1dB
隔离：27dB
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：射频开关芯片
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：F2912NCGI8
插入损耗：1dB
供电电压：2.7V~3.6V
隔离：27dB
包装方式：卷带（TR）
电路结构：SPDT
频率：9kHz~9GHz
工作温度：-55℃~125℃
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品牌：RENESAS
分类：射频开关芯片
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：F2912NCGI8
插入损耗：1dB
供电电压：2.7V~3.6V
隔离：27dB
包装方式：卷带（TR）
电路结构：SPDT
频率：9kHz~9GHz
工作温度：-55℃~125℃
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品牌：RENESAS
分类：射频开关芯片
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：F2912NCGI8
插入损耗：1dB
供电电压：2.7V~3.6V
隔离：27dB
包装方式：卷带（TR）
电路结构：SPDT
频率：9kHz~9GHz
工作温度：-55℃~125℃
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：DC-DC电源芯片
行业应用：其它
销售单位：个
同步整流：是
输入电压：2.85V~6V
拓扑结构：降压
输出类型：可调式
工作温度：-55℃~125℃
输出电流：3A
功能类型：降压
包装方式：卷带（TR）
输出电压：0.8V~6V
输出通道：2
开关频率：1.1MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：射频开关芯片
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：F2912NCGI8
插入损耗：1dB
供电电压：2.7V~3.6V
隔离：27dB
包装方式：卷带（TR）
电路结构：SPDT
频率：9kHz~9GHz
工作温度：-55℃~125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：射频开关芯片
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：F2912NCGI8
插入损耗：1dB
供电电压：2.7V~3.6V
隔离：27dB
包装方式：卷带（TR）
电路结构：SPDT
频率：9kHz~9GHz
工作温度：-55℃~125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：射频开关芯片
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：F2912NCGI8
插入损耗：1dB
供电电压：2.7V~3.6V
隔离：27dB
包装方式：卷带（TR）
电路结构：SPDT
频率：9kHz~9GHz
工作温度：-55℃~125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLG55021-200010V
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：400µA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：32µA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLG55021-200010V
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：400µA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：32µA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLG55021-200010V
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：400µA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：32µA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLG55021-200010V
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：400µA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：32µA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLG55021-200010V
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：400µA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：32µA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLG55021-200010V
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：400µA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：32µA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLG55021-200010V
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：400µA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：32µA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLG55021-200010V
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：400µA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：32µA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：SLG55021-200010V
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：400µA
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：32µA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
