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品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27423MDREP
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27423MDREP
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27423MDREP
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27424MDGNREP
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27423MDREP
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27423MDREP
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27423MDREP
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27424MDGNREP
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27423MDREP
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27423MDREP
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27423MDREP
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27424MDGNREP
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27424MDGNREP
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：UCC27512MDRSTEP
上升时间：8ns
峰值拉电流：8A
峰值灌电流：4A
电源电压：4.5V~18V
驱动配置：低端
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~125℃
包装方式：卷带（TR）
驱动通道数：1
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27424MDGNREP
下降时间：15ns
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
工作温度：-55℃~125℃
峰值拉电流：4A
包装方式：卷带（TR）
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
驱动通道数：2
上升时间：20ns
包装清单：商品主体 * 1
库存：
