采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6622CBZ-T
上升时间：26ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：6.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6622CRZ-T
上升时间：26ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：6.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6612CRZ-T
上升时间：26ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：CHL8510CRT
上升时间：21ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"04+"：2500，"05+"：337500，"MI+"：2375}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5355DR2
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"08+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5355DR2G
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6612ACBZ-T
上升时间：26ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6612ACBZ-T
上升时间：26ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6612ACBZ-T
上升时间：26ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6612CRZ-T
上升时间：26ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6612CRZ-T
上升时间：26ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6622CBZ-T
上升时间：26ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：6.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6622CBZ-T
上升时间：26ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：6.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CHL8510CRT
上升时间：21ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：640psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR3537MTRPBF
驱动通道数：2
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~13.2V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6612CRZ-T
上升时间：26ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6612ACBZ-T
上升时间：26ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6622CBZ-T
上升时间：26ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：6.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6612CRZ-T
上升时间：26ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6622CBZ-T
上升时间：26ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：6.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：640psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR3537MTRPBF
驱动通道数：2
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~13.2V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"20+"：795，"21+"：1530}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6609ACBZ
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6622CBZ-T
上升时间：26ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：6.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CHL8510CRT
上升时间：21ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：640psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR3537MTRPBF
驱动通道数：2
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~13.2V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6622CRZ-T
上升时间：26ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：6.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：CHL8510CRT
上升时间：21ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6622CRZ-T
上升时间：26ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：6.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6612CRZ-T
上升时间：26ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：10.8V~13.2V
峰值灌电流：1.25A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"04+"：2500，"05+"：337500，"MI+"：2375}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5355DR2
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
