包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DDA
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DDAR
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211ADRMR
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DRMT
上升时间:7.2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211ADRMR
上升时间:7.2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DRMR
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211ADRMR
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211ADRMT
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DPRT
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DPRT
上升时间:7.2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27210D
上升时间:7.2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DRMR
上升时间:7.2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DR
上升时间:7.2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211D
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211AQDDARQ1
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
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驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27210DDAR
上升时间:7.2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
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库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DDA
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
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驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211ADRMR
上升时间:7.2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
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驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
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销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211AQDDARQ1
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
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驱动配置:半桥
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DDA
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
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峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211ADRMR
上升时间:7.2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211ADRMR
上升时间:7.2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
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驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DDAR
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27210DDAR
上升时间:7.2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27210DDAR
上升时间:7.2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
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驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211AQDDARQ1
上升时间:7.2ns
驱动通道数:2
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
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驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DRMR
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211D
上升时间:7.2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:5.5ns
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负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27211DDAR
上升时间:7.2ns
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:8V~17V
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驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: