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销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27211DDAR
上升时间：7.2ns
驱动通道数：2
下降时间：5.5ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：UCC27211DDAR
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驱动通道数：2
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：UCC27211DDAR
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：UCC27211DDAR
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ECCN：EAR99
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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ECCN：EAR99
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
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峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：UCC27211DDAR
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ECCN：EAR99
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：UCC27211DDAR
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工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
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规格型号(MPN)：UCC27211DDAR
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：UCC27211DDAR
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ECCN：EAR99
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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负载类型：N沟道MOSFET
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规格型号(MPN)：UCC27211DDAR
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ECCN：EAR99
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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生产批次：{"12+"：1208}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27211DDAR
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ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
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品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
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电源电压：8V~17V
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包装方式：卷带（TR）
驱动配置：半桥
工作温度：-40℃~140℃
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