品牌:SII
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZN
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4422ZT
上升时间:20ns
驱动通道数:1
下降时间:24ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4428ZM-TR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM-TR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4421ZM-TR
上升时间:20ns
驱动通道数:1
下降时间:24ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM-TR
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4421ZM-TR
上升时间:20ns
驱动通道数:1
下降时间:24ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4421ZT
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:24ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4428ZM
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4426ZN
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"21+":2802}
销售单位:个
规格型号(MPN):ADP3110AKRZ-RL
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:11ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:4.6V~13.2V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4421ZN
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:24ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM-TR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4428ZM
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4426ZM-TR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4421ZN
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:24ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):ADP3110AKCPZ-RL
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:11ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:4.6V~13.2V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):ADP3110AKRZ-RL
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:11ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:4.6V~13.2V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"20+":9566,"21+":25693,"22+":16902,"23+":17881}
销售单位:个
规格型号(MPN):ADP3110AKCPZ-RL
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:11ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:4.6V~13.2V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM-TR
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM-TR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM-TR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4421ZM
上升时间:20ns
驱动通道数:1
下降时间:24ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SN75374D
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:20ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:4.75V~28V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4426ZM
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):ADP3110AKCPZ-RL
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:11ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:4.6V~13.2V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM-TR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: