品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4469COE
上升时间:15ns
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE713
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4469COE
上升时间:15ns
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4469CPD
上升时间:15ns
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE
上升时间:15ns
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE
上升时间:15ns
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"12+":8813,"13+":12000,"14+":3000,"16+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP5359AMNR2G
上升时间:16ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:10V~13.2V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE
上升时间:15ns
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4469COE
上升时间:15ns
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"11+":39000,"13+":192000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP5359AMNTBG
上升时间:16ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:10V~13.2V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE713
上升时间:15ns
驱动通道数:4
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工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
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驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE
上升时间:15ns
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
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峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE713
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
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工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
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峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE713
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4469COE713
上升时间:15ns
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4469COE
上升时间:15ns
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP5359AMNTBG
上升时间:16ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:10V~13.2V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE713
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"11+":39000,"13+":192000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP5359AMNTBG
上升时间:16ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:10V~13.2V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4469COE
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE
上升时间:15ns
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4469CPD
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4469COE713
上升时间:15ns
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE713
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE713
上升时间:15ns
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE
上升时间:15ns
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4468COE713
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货