采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34151DR2G
上升时间：31ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34152DR2G
上升时间：36ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34152DR2G
上升时间：36ns
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34151DR2G
上升时间：31ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4424ZWM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34151DR2G
上升时间：31ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34151DR2G
上升时间：31ns
驱动通道数：2
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工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34152DR2G
上升时间：36ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34151DR2G
上升时间：31ns
驱动通道数：2
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工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
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包装方式：卷带（TR）
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34151DR2G
上升时间：31ns
ECCN：EAR99
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工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34152DR2G
上升时间：36ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"08+"：92，"22+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34151DR2G
上升时间：31ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
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峰值灌电流：1.5A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34151DR2G
上升时间：31ns
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34151DR2G
上升时间：31ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"22+"：17500，"23+"：500，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34152DR2G
上升时间：36ns
ECCN：EAR99
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下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34151DR2G
上升时间：31ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34151DR2G
上升时间：31ns
驱动通道数：2
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工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4424ZWM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34152DR2G
上升时间：36ns
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工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34152DR2G
上升时间：36ns
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
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峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34152DR2G
上升时间：36ns
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34152DR2G
上升时间：36ns
驱动通道数：2
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工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34151DR2G
上升时间：31ns
驱动通道数：2
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工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
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峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34152DR2G
上升时间：36ns
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34151DR2G
上升时间：31ns
驱动通道数：2
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工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4424ZWM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"22+"：17500，"23+"：500，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34152DR2G
上升时间：36ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34151DR2G
上升时间：31ns
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
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峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34151DR2G
上升时间：31ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC34151DR2G
上升时间：31ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
