品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"08+":10968,"09+":7231,"10+":560,"MI+":6367}
销售单位:个
规格型号(MPN):MC34151PG
上升时间:31ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:32ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:6.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):98psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MC34152DG
上升时间:36ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:32ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:6.1V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):98psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MC34152DG
上升时间:36ns
驱动通道数:2
下降时间:32ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:6.1V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SII
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZN
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4432COA
上升时间:25ns
驱动通道数:1
下降时间:33ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~30V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4428ZM-TR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM-TR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM-TR
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MC34151DR2G
上升时间:31ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:32ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:6.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4432COA
上升时间:25ns
驱动通道数:1
下降时间:33ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~30V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4428ZM
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4426ZN
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4432COA
上升时间:25ns
驱动通道数:1
下降时间:33ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~30V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):60psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4432CPA
上升时间:25ns
驱动通道数:1
下降时间:33ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~30V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MC34152DR2G
上升时间:36ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:32ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:6.1V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM-TR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):98psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MC34151DG
上升时间:31ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:32ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:6.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4428ZM
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4426ZM-TR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MC34152DR2G
上升时间:36ns
驱动通道数:2
下降时间:32ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:6.1V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):60psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4431CPA
上升时间:25ns
驱动通道数:1
下降时间:33ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~30V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MC34151DR2G
上升时间:31ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:32ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:6.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ADI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):LTC1693-1CS8#TRPBF
上升时间:16ns
驱动通道数:2
下降时间:16ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~13.2V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM-TR
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM-TR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4427ZM-TR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4426ZM
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存: