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品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"12+"：8813，"13+"：12000，"14+"：3000，"16+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5359AMNR2G
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"11+"：39000，"13+"：192000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5359AMNTBG
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5359AMNTBG
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5359DR2G
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"11+"：39000，"13+"：192000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5359AMNTBG
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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生产批次：{"08+"：1026，"09+"：5000，"10+"：2706，"13+"：2500，"14+"：157000，"15+"：295，"MI+"：3560}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5359DR2G
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
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负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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生产批次：{"08+"：1026，"09+"：5000，"10+"：2706，"13+"：2500，"14+"：157000，"15+"：295，"MI+"：3560}
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规格型号(MPN)：NCP5359DR2G
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ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
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负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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生产批次：{"12+"：8813，"13+"：12000，"14+"：3000，"16+"：33000}
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ECCN：EAR99
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负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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规格型号(MPN)：NCP5359DR2G
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5359AMNR2G
上升时间：16ns
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负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：10V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：其他
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生产批次：{"11+"：39000，"13+"：192000}
规格型号(MPN)：NCP5359AMNTBG
电源电压：10V~13.2V
下降时间：15ns
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负载类型：N沟道MOSFET
工作温度：0℃~150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
驱动配置：半桥
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行业应用：其他
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规格型号(MPN)：NCP5359DR2G
电源电压：10V~13.2V
包装方式：卷带（TR）
下降时间：11ns
驱动配置：半桥
上升时间：16ns
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负载类型：N沟道MOSFET
工作温度：0℃~150℃
包装清单：商品主体 * 1
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