采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4124YME
上升时间：11ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDN7533RXTMA1
上升时间：8.6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~+150℃
负载类型：MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低边
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81071BMNTXG
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4123YME-TR
上升时间：11ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81071BDR2G
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"16+"：188060，"MI+"：85000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDN8523FXTMA1
上升时间：5.3ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4125YME
上升时间：11ns
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDN7523FXTMA1
上升时间：5.3ns
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81071BDR2G
上升时间：8ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81071BMNTXG
上升时间：8ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDN7534RXTMA1
上升时间：8.6ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~+150℃
负载类型：MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低边
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81071CDR2G
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81071CMNTXG
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81071BDR2G
上升时间：8ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDN7534RXTMA1
上升时间：8.6ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~+150℃
负载类型：MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低边
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81071BZR2G
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4127YML-TR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDN7424FXTMA1
上升时间：6.4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：5.4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDN7524RXTMA1
上升时间：5.3ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDN8524GXTMA1
上升时间：5.3ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"18+"：332，"20+"：1350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81071CDR2G
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDN8534RXTMA1
上升时间：8.6ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~+150℃
负载类型：MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低边
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"23+"：1897}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81071AMNTXG
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81071BZR2G
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"16+"：5，"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDN8524FXTMA1
上升时间：5.3ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDN7424FXTMA1
上升时间：6.4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：5.4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDN7434RXTMA1
上升时间：8.6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MAQ4124YME-VAO
上升时间：11ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：11ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：带
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4126YMME
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81071ADR2G
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
