品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4124YME
上升时间:11ns
驱动通道数:2
下降时间:11ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4123YME-TR
上升时间:11ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:11ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4125YME
上升时间:11ns
驱动通道数:2
下降时间:11ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4120YME
上升时间:12ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:13ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4127YML-TR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MAQ4124YME-VAO
上升时间:11ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:11ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:带
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4126YMME
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IVCR1407SR
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4128YMME-TR
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4129YME
上升时间:12ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:13ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4120YME-TR
上升时间:12ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:13ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:6A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4125YME
上升时间:11ns
驱动通道数:2
下降时间:11ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4128YMME-TR
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4124YME-TR
上升时间:11ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:11ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4125YME
上升时间:11ns
驱动通道数:2
下降时间:11ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4124YME-TR
上升时间:11ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:11ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4126YMME
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IVCR1407SR
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IVCR1407SR
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4124YME
上升时间:11ns
驱动通道数:2
下降时间:11ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4128YMME-TR
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4120YME
上升时间:12ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:13ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IVCR1407SR
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4128YME-TR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IVCR2405DR
上升时间:6ns
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4123YME-TR
上升时间:11ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:11ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4120YME-TR
上升时间:12ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:13ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:6A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4120YME
上升时间:12ns
驱动通道数:1
下降时间:13ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IVCR1407SR
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4128YMME-TR
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: