销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21530QDWKRQ1
上升时间:6ns
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~130℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:2313
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规格型号(MPN):UCC21530QDWKRQ1
上升时间:6ns
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~130℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):UCC21530QDWKRQ1
上升时间:6ns
驱动通道数:2
下降时间:7ns
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负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):UCC21530QDWKRQ1
上升时间:6ns
驱动通道数:2
下降时间:7ns
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负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: