采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"13+"：103985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-TLM-E
上升时间：超温
ECCN：EAR99
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"13+"：103985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-TLM-E
上升时间：超温
ECCN：EAR99
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-MPB-E
上升时间：超温
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
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ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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生产批次：{"13+"：103985}
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规格型号(MPN)：LV8011V-TLM-E
上升时间：超温
ECCN：EAR99
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
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负载类型：电感，电容性
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行业应用：其他
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上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
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负载类型：电感，电容性
电源电压：4.5V~5.5V
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特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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生产批次：{"13+"：103985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-TLM-E
上升时间：超温
ECCN：EAR99
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：其他
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负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
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下降时间：DMOS
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负载类型：电感
峰值拉电流：5A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：其他
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下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：其他
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电源电压：4.5V~5.5V
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
工作温度：-40°C~125°C（TA）
驱动配置：半桥（2）
负载类型：电感，电容性
包装方式：卷带（TR）
峰值灌电流：50A
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品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-MPB-E
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
峰值拉电流：5A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：管件
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负载类型：电感
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：门极驱动器
行业应用：其他
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SIC639ACD-T1-GE3
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
电源电压：4.5V~5.5V
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
工作温度：-40°C~125°C（TA）
驱动配置：半桥（2）
ECCN：EAR99
负载类型：电感，电容性
包装方式：卷带（TR）
峰值灌电流：50A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-TLM-E
电源电压：4.5V~5.5V
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峰值拉电流：5A
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包装方式：卷带（TR）
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工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-MPB-E
电源电压：4.5V~5.5V
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峰值拉电流：5A
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包装方式：管件
上升时间：超温
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
包装清单：商品主体 * 1
库存：
