品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV7544MWTXG
工作温度:-40℃~+150℃
负载类型:MOSFET
电源电压:4.5V~5.5V
特性:过压保护(OVP)
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95485RWJT
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET
电源电压:4.5V~5.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):LMG1205YFXR
上升时间:7ns
驱动通道数:2
下降时间:3.5ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95379Q3MT
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS51601ADRBR
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~105℃
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:4.5V~5.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97394Q4M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV7544MWTXG
ECCN:EAR99
工作温度:-40℃~+150℃
负载类型:MOSFET
电源电压:4.5V~5.5V
特性:过压保护(OVP)
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"22+":1736}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF6823C
上升时间:超温,击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:DrMOS
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:50A
特性:自举电路,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95372BQ5M
上升时间:限流,超温,击穿,短路,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:90A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:60A
特性:自举电路,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP252160MNTWG
ECCN:EAR99
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET
电源电压:4.5V~5.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL6208BIRZ-T
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:8ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"22+":48000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP302035MNTWG
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:MOSFET(金属氧化物)
工作温度:-40°C~125°C(TA)
负载类型:电感,电容性,电阻
峰值拉电流:70A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF5826DC
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:UMOS
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:60A
特性:Bootstrap Circuit,Latch Function,Status Flag
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP14700-E/SN
上升时间:10ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL6208CRZ-T
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:8ns
工作温度:-10℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DGD0590AFU-7
上升时间:27ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"13+":5131,"17+":5271}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF6833C
ECCN:EAR99
工作温度:-40℃~+150℃
负载类型:MOSFET
电源电压:4.5V~5.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"24+":243}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF5822DC
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:UMOS
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:55A
特性:Bootstrap Circuit,Latch Function,Status Flag
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"20+":444214,"21+":1853700,"23+":3000,"MI+":440891}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP252160MNTWG
ECCN:EAR99
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET
电源电压:4.5V~5.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DGD0590AFU-7
上升时间:27ns
驱动通道数:2
下降时间:29ns
工作温度:150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):AOZ5507QI
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:DrMOS
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:80A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:30A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"21+":1794,"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP302040MNTWG
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:MOSFET(金属氧化物)
工作温度:-40°C~125°C(TA)
负载类型:电感,电容性,电阻
峰值拉电流:75A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"21+":1651,"22+":1947}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF3037
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:UMOS
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BQ500101DPCR
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~+150℃
电源电压:4.5V~5.5V
是否隔离:非隔离
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"21+":35600,"9999":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL6609ACRZ
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:8ns
工作温度:0℃~+125℃
负载类型:MOSFET
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97394Q4M
上升时间:击穿,UVLO
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"14+":2459}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL6610CBZ
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:4
下降时间:8ns
工作温度:0℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~5.5V
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95373BQ5M
工作温度:-55℃~+150℃
电源电压:4.5V~5.5V
特性:过流保护(OCP);过热保护(OPT);短路保护(SCP)
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF5820DC
ECCN:EAR99
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET
电源电压:4.5V~5.5V
特性:过热保护(OPT)
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5113SDX/NOPB
上升时间:7ns
驱动通道数:2
下降时间:1.5ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: