销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97394Q4M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"22+":48000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP302035MNTWG
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:MOSFET(金属氧化物)
工作温度:-40°C~125°C(TA)
负载类型:电感,电容性,电阻
峰值拉电流:70A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"21+":1794,"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP302040MNTWG
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:MOSFET(金属氧化物)
工作温度:-40°C~125°C(TA)
负载类型:电感,电容性,电阻
峰值拉电流:75A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97394Q4M
上升时间:击穿,UVLO
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97370AQ5M
上升时间:击穿,UVLO
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97394Q4M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97394Q4M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97395Q4MT
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:25A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97394Q4M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97395Q4MT
上升时间:击穿,UVLO
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:25A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"10+":147000,"13+":2770,"14+":6900,"16+":6000,"9999":2000,"MI+":18000}
包装规格(MPQ):138psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF6704A
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:DrMOS
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:80A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD95480RWJ
上升时间:击穿
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~125°C(TJ)
负载类型:电感,电容性
峰值拉电流:90A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:70A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"18+":3000,"19+":5850}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF6704
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:DrMOS
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:80A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"08+":3064,"09+":3000,"11+":2700,"14+":3000,"15+":2295}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF8704
上升时间:击穿
ECCN:EAR99
下降时间:DrMOS
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:65A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:32A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD96370Q5M
上升时间:击穿,UVLO
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97395Q4MT
上升时间:击穿,UVLO
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:25A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"11+":1239,"12+":2380,"17+":9905}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97370AQ5M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97395Q4MT
上升时间:击穿,UVLO
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:25A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"19+":26480,"20+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP302035MNTWG
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:MOSFET(金属氧化物)
工作温度:-40°C~125°C(TA)
负载类型:电感,电容性,电阻
峰值拉电流:70A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97370AQ5M
上升时间:击穿,UVLO
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF6704
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:DrMOS
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:80A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97394Q4M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97394Q4M
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:45A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:20A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97395Q4MT
上升时间:击穿,UVLO
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:25A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"21+":1794,"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP302040MNTWG
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:MOSFET(金属氧化物)
工作温度:-40°C~125°C(TA)
负载类型:电感,电容性,电阻
峰值拉电流:75A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:40A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97395Q4MT
上升时间:击穿,UVLO
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:25A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD97395Q4MT
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:60A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:25A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP302035MNTWG
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:MOSFET(金属氧化物)
工作温度:-40°C~125°C(TA)
负载类型:电感,电容性,电阻
峰值拉电流:70A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP302035MNTWG
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:MOSFET(金属氧化物)
工作温度:-40°C~125°C(TA)
负载类型:电感,电容性,电阻
峰值拉电流:70A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"18+":3000,"19+":5850}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF6704
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:DrMOS
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:80A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: