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生产批次：{"22+"：48000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：MOSFET（金属氧化物）
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：70A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：35A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"21+"：1794，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302040MNTWG
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：MOSFET（金属氧化物）
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：75A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOZ5332QI
上升时间：超温，击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：DrMOS
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：120A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOZ5339QI
上升时间：超温，击穿，UVLO
下降时间：DrMOS
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：120A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOZ5332QI
上升时间：超温，击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：DrMOS
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：120A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOZ5311NQI-03
上升时间：超温，击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：DrMOS
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：120A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：55A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOZ5339QI
上升时间：超温，击穿，UVLO
下降时间：DrMOS
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：120A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：26480，"20+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：MOSFET（金属氧化物）
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：70A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：35A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"21+"：1794，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302040MNTWG
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：MOSFET（金属氧化物）
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：75A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOZ5339QI
上升时间：超温，击穿，UVLO
下降时间：DrMOS
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：120A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：MOSFET（金属氧化物）
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：70A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：35A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOZ5332QI
上升时间：超温，击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：DrMOS
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：120A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：MOSFET（金属氧化物）
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：70A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：35A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"20+"：21000，"21+"：54000，"22+"：63000，"MI+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302040MNTWG
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：MOSFET（金属氧化物）
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：75A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：26480，"20+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：MOSFET（金属氧化物）
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：70A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：35A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"20+"：21000，"21+"：54000，"22+"：63000，"MI+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302040MNTWG
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：MOSFET（金属氧化物）
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：75A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：MOSFET（金属氧化物）
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：70A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：35A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOZ5332QI
上升时间：超温，击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：DrMOS
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：120A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOZ5332QI
上升时间：超温，击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：DrMOS
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：120A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOZ5332QI
上升时间：超温，击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：DrMOS
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：120A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOZ5311NQI_2
上升时间：超温，击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：DrMOS
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：120A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：55A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：MOSFET（金属氧化物）
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：70A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：35A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOZ5311NQI-03
上升时间：超温，击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：DrMOS
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：120A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：55A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：MOSFET（金属氧化物）
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：70A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：35A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOZ5311NQI_2
上升时间：超温，击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：DrMOS
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：120A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：55A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：MOSFET（金属氧化物）
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：70A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：35A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"22+"：48000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：MOSFET（金属氧化物）
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：70A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：35A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"22+"：48000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302035MNTWG
上升时间：超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：MOSFET（金属氧化物）
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：70A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：35A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOZ5332QI
上升时间：超温，击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：DrMOS
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：120A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：50A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302040MNTWG
上升时间：超温，UVLO
下降时间：MOSFET（金属氧化物）
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感，电容性，电阻
峰值拉电流：75A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
