采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXR
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS51601ADRBR
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~105℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6208BIRZ-T
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14700-E/SN
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6208CRZ-T
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-10℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP303150MNTWG
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：100mA
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：半桥，低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"14+"：2459}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6610CBZ
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：8ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5113SDX/NOPB
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：1.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"20+"：142，"22+"：456000，"MI+"：10128}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP303151MNTWG
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：100mA
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INTERSIL
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"04+"：469，"08+"：1389}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6208CB
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-10℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"14+"：2459}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6610CBZ
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：8ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS51604DSGT
上升时间：30ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~105℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"14+"：2459}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6610CBZ
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：8ns
工作温度：0℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5113QDPRRQ1
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS51601ADRBR
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~105℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPIC44H01DA
驱动通道数：4
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS51601ADRBR
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~105℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"21+"：1288，"22+"：7593}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302150MNTWG
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5113QDPRRQ1
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXT
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS51604DSGR
上升时间：30ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~105℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302155AMNTWG
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP303151MNTWG
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：100mA
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：100mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS51604QDSGTQ1
上升时间：30ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP302155MNTWG
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXT
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RICHTEK
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT9610CGQW
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：2A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
