销售单位：个

规格型号(MPN)：TPIC44H01DA

驱动通道数：4

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：788924，"22+"：66000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81253MNTBG

上升时间：16ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPIC44H01DA

驱动通道数：4

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPIC46L02DB

上升时间：3.5µs

驱动通道数：6

下降时间：3µs

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2mA

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：1.2mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81151MNTBG

上升时间：16ns

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81151BMNTBG

上升时间：16ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81253MNTBG

上升时间：16ns

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：30，"04+"：300，"07+"：150，"10+"：101，"15+"：250，"17+"：381，"97+"：22720，"MI+"：432}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPIC46L02DB

上升时间：3.5µs

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：3µs

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2mA

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：1.2mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81151BMNTBG

上升时间：16ns

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"09+"：50，"12+"：500，"13+"：300，"16+"：4857}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPIC46L02DBG4

上升时间：3.5µs

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：3µs

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2mA

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：1.2mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81151BMNTBG

上升时间：16ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPIC46L01DB

上升时间：3.5µs

驱动通道数：6

下降时间：3µs

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2mA

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：1.2mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81151MNTBG

上升时间：16ns

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPIC46L01DB

上升时间：3.5µs

驱动通道数：6

下降时间：3µs

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2mA

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：1.2mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81151MNTBG

上升时间：16ns

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81151MNTBG

上升时间：16ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81151BMNTBG

上升时间：16ns

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81151MNTBG

上升时间：16ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81151BMNTBG

上升时间：16ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81151MNTBG

上升时间：16ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81151BMNTBG

上升时间：16ns

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPIC46L01DB

上升时间：3.5µs

驱动通道数：6

下降时间：3µs

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2mA

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：1.2mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81253MNTBG

上升时间：16ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81151MNTBG

上升时间：16ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81151MNTBG

上升时间：16ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81151MNTBG

上升时间：16ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81253MNTBG

上升时间：16ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：340，"15+"：1185，"16+"：39300}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPIC46L01DBG4

上升时间：3.5µs

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：3µs

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2mA

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：1.2mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81381MNTXG

驱动通道数：1

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPIC46L02DBR

上升时间：3.5µs

驱动通道数：6

下降时间：3µs

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.2mA

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：1.2mA

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1