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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"11+"：1239，"12+"：2380，"17+"：9905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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生产批次：{"11+"：1239，"12+"：2380，"17+"：9905}
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规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
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负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
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上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
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负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
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峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
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负载类型：电感
峰值拉电流：60A
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峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
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规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
特性：自举电路
电源电压：4.5V~5.5V
峰值拉电流：60A
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
包装方式：卷带（TR）
峰值灌电流：40A
驱动配置：半桥
负载类型：电感
包装清单：商品主体 * 1
库存：
