销售单位:个
规格型号(MPN):UP1966E
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:增强模式GaNFET
峰值拉电流:12.5A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:7.1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UP1966E
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:增强模式GaNFET
峰值拉电流:12.5A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:7.1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):UP1966E
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:增强模式GaNFET
峰值拉电流:12.5A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:7.1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
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库存:
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规格型号(MPN):UP1966E
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:增强模式GaNFET
峰值拉电流:12.5A
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峰值灌电流:7.1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):UP1966E
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ECCN:EAR99
驱动通道数:2
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负载类型:增强模式GaNFET
峰值拉电流:12.5A
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驱动配置:半桥
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库存:
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规格型号(MPN):UP1966E
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
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负载类型:增强模式GaNFET
峰值拉电流:12.5A
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驱动配置:半桥
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库存:
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规格型号(MPN):UP1966E
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
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负载类型:增强模式GaNFET
峰值拉电流:12.5A
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驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
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库存:
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规格型号(MPN):UP1966E
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
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负载类型:增强模式GaNFET
峰值拉电流:12.5A
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驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):UP1966E
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ECCN:EAR99
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工作温度:-40℃~125℃
负载类型:增强模式GaNFET
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驱动配置:半桥
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规格型号(MPN):UP1966E
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
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负载类型:增强模式GaNFET
峰值拉电流:12.5A
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驱动配置:半桥
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包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):UP1966E
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:增强模式GaNFET
峰值拉电流:12.5A
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驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):UP1966E
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:增强模式GaNFET
峰值拉电流:12.5A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:7.1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:EPC
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
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规格型号(MPN):UP1966E
上升时间:8ns
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:7.1A
峰值拉电流:12.5A
ECCN:EAR99
负载类型:增强模式GaNFET
包装方式:卷带(TR)
驱动配置:半桥
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~125℃
下降时间:4ns
包装清单:商品主体 * 1
库存: