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生产批次：{"13+"：103985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-TLM-E
上升时间：超温
ECCN：EAR99
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5113QDPRRQ1
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXT
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXT
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5113QDPRRQ1
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5113TME/NOPB
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：1.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5113QDPRRQ1
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5113TME/NOPB
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：1.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5113TME/NOPB
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：1.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5113QDPRRQ1
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"13+"：103985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-TLM-E
上升时间：超温
ECCN：EAR99
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5113TME/NOPB
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：1.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5113TME/NOPB
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：1.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXT
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXT
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXT
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5113QDPRRQ1
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5113TME/NOPB
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：1.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXR
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5113QDPRRQ1
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXT
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
