包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT

上升时间：击穿

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：105A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：75A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：105A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：75A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：105A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：75A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95481RWJT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：105A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：75A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97396Q4MT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：65A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95481RWJT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95481RWJT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95480RWJ

上升时间：击穿

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：70A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：3064，"09+"：3000，"11+"：2700，"14+"：3000，"15+"：2295}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF8704

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：65A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：32A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95496QVMT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：2937，"09+"：9000，"11+"：5082}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF8704V

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：65A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：32A

特性：自举电路，5V 稳压输出

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95481RWJT

上升时间：击穿

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95496QVMT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：2937，"09+"：9000，"11+"：5082}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF8704V

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：65A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：32A

特性：自举电路，5V 稳压输出

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97396Q4MT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：65A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95496QVMT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95495QVMT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：75A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95496QVMT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95495QVMT

上升时间：击穿

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：75A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95480RWJ

上升时间：击穿

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：70A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95495QVMT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：75A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT

上升时间：击穿

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：105A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：75A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95482RWJT

上升时间：击穿

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：2937，"09+"：9000，"11+"：5082}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF8704V

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：65A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：32A

特性：自举电路，5V 稳压输出

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95480RWJ

上升时间：击穿

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：70A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97396Q4MT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：65A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95480RWJ

上升时间：击穿

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：70A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95480RWJ

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：70A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：105A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：75A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1