采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOZ5507QI
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：DrMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：80A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：30A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"21+"：1651，"22+"：1947}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMF3037
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：UMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：35A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：25A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMF3037
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：UMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：35A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：25A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"10+"：147000，"13+"：2770，"14+"：6900，"16+"：6000，"9999"：2000，"MI+"：18000}
包装规格(MPQ)：138psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMF6704A
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：DrMOS
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：80A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：35A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"18+"：3000，"19+"：5850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMF6704
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：DrMOS
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：80A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：35A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD96370Q5M
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：25A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"11+"：1239，"12+"：2380，"17+"：9905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：25A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：40A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMF6704
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：DrMOS
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：80A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：35A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97394Q4M
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：25A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT
上升时间：击穿，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：25A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：60A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：25A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOZ5016QI
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：DrMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：120A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：55A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOZ5016QI
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：DrMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：120A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：55A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
