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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"13+"：103985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-TLM-E
上升时间：超温
ECCN：EAR99
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"13+"：103985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-TLM-E
上升时间：超温
ECCN：EAR99
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-MPB-E
上升时间：超温
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
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工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
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峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
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工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
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工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"13+"：103985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-TLM-E
上升时间：超温
ECCN：EAR99
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
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工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"13+"：103985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-TLM-E
上升时间：超温
ECCN：EAR99
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
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峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-TLM-E
上升时间：超温
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
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峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-TLM-E
上升时间：超温
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-TLM-E
上升时间：超温
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-MPB-E
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
峰值拉电流：5A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：管件
上升时间：超温
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
电源电压：4.5V~5.5V
上升时间：27ns
峰值灌电流：1A
下降时间：29ns
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
驱动配置：半桥
驱动通道数：2
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
电源电压：4.5V~5.5V
上升时间：27ns
峰值灌电流：1A
下降时间：29ns
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
驱动配置：半桥
驱动通道数：2
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-TLM-E
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
峰值拉电流：5A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：卷带（TR）
上升时间：超温
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LV8011V-MPB-E
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
峰值拉电流：5A
驱动配置：半桥（2）
包装方式：管件
上升时间：超温
下降时间：DMOS
工作温度：-20°C~75°C（TA）
负载类型：电感
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
电源电压：4.5V~5.5V
上升时间：27ns
峰值灌电流：1A
下降时间：29ns
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
驱动配置：半桥
驱动通道数：2
包装清单：商品主体 * 1
库存：
