生产批次：{"22+"：1736}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6823C

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95372BQ5M

上升时间：限流，超温，击穿，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：4583}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6823A

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：2918}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6840C

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2500，"23+"：42500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5369NMNTXG

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：50A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95378BQ5MC

上升时间：限流，超温，击穿，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95372AQ5M

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95372BQ5M

上升时间：限流，超温，击穿，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6820A

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6823C

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95372AQ5M

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"12+"：568}

包装规格(MPQ)：80psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6707B

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：散装

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95372AQ5M

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95372AQ5M

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95372BQ5MC

上升时间：限流，超温，击穿，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z

上升时间：限流，超温

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：1918}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5369NMNTXG

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：50A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z

上升时间：限流，超温

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP86885GQWT-Z

上升时间：限流，超温

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~125°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：2172，"15+"：45900，"MI+"：10000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81081MNR2G

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：0°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：50A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95378BQ5MT

上升时间：限流，超温，击穿，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95372AQ5M

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6820A

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95372BQ5M

上升时间：限流，超温，击穿，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"12+"：568}

包装规格(MPQ)：80psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6707B

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：散装

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95372BQ5M

上升时间：限流，超温，击穿，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95373BQ5MT

上升时间：限流，超温，击穿，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：67A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：45A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95373BQ5MT

上升时间：限流，超温，击穿，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：67A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：45A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"MI+"：2673}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6823C

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95378BQ5MT

上升时间：限流，超温，击穿，短路，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1