包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97394Q4M

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：1736}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6823C

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：3000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF5826DC

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：Bootstrap Circuit，Latch Function，Status Flag

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5507QI

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：80A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1651，"22+"：1947}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF3037

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97394Q4M

上升时间：击穿，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M

上升时间：击穿，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：4583}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6823A

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97394Q4M

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：2918}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6840C

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97394Q4M

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：25A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97394Q4M

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97396Q4MT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：65A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF3037

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIC632CD-T1-GE3

上升时间：UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT

上升时间：击穿，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：25A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5116QI-01

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：120A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：55A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5516QI-02

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：120A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：55A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD96370Q5M

上升时间：击穿，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6820A

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6823C

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5116QI-01

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：120A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：55A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF3030

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"12+"：568}

包装规格(MPQ)：80psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6707B

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：散装

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT

上升时间：击穿，UVLO

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：25A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：1239，"12+"：2380，"17+"：9905}

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97370AQ5M

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：40A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1