采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609CI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD609YI
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD609SITR
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614SI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609YI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604SIATR
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614YI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN604PI
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609SITR
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：Reel
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SIATR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609SITR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：非反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN602SIATR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614SI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609PI
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SI
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SIATR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD604SIA
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SIATR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD609D2TR
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SIA
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN602D2TR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~+150℃
负载类型：MOSFET；IGBT
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低边
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609PI
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI604SIA
上升时间：9ns
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD609YI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI614YI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD609SIATR
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI602SIATR
上升时间：7.5ns
驱动通道数：2
下降时间：6.5ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614PI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD614SI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装清单：商品主体 * 1
库存：
