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品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI604SIATR
上升时间：9ns，8ns
驱动通道数：独立式
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A，4A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI604SIATR
上升时间：9ns，8ns
驱动通道数：独立式
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A，4A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI604SIATR
上升时间：9ns，8ns
驱动通道数：独立式
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A，4A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：IXDI604SIATR
上升时间：9ns，8ns
驱动通道数：独立式
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A，4A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：其他
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规格型号(MPN)：IXDI604SIATR
上升时间：9ns，8ns
驱动通道数：独立式
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A，4A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
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行业应用：其他
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上升时间：9ns，8ns
驱动通道数：独立式
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：4A，4A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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