销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD614SI

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装清单：商品主体 * 1

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规格型号(MPN)：IXDD614SI

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驱动通道数：1

下降时间：18ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

包装清单：商品主体 * 1

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

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规格型号(MPN)：IXDD614SI

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

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峰值拉电流：14A

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峰值拉电流：14A

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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

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峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

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工作温度：-55℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：14A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：14A

驱动配置：低端

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