包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD604SI

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD604SI

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD604SI

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

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规格型号(MPN)：IXDD604SI

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDD604SI

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：100psc

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规格型号(MPN)：IXDD604SI

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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

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规格型号(MPN)：IXDD604SI

上升时间：9ns

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~35V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1