包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXDN602SIA
上升时间:7.5ns
驱动通道数:2
下降时间:6.5ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~35V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXDN602SIA
上升时间:7.5ns
驱动通道数:2
下降时间:6.5ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~35V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
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