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品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SIATR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609SITR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：非反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SI
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SIATR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SIATR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609SITR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：非反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD609D2TR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：非反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD609D2TR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：非反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SIA
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD609D2TR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：非反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SIA
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SIA
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD609D2TR
上升时间：22ns，15ns
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：非反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SI
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SI
上升时间：22ns，15ns
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
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峰值灌电流：9A，9A
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驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：IXDI609SIATR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Littelfuse
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行业应用：其他
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规格型号(MPN)：IXDN609SITR
上升时间：22ns，15ns
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SI
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SIATR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609SITR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：非反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609SITR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：非反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SIATR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SIATR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD609D2TR
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：非反相
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SIA
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SIA
上升时间：22ns，15ns
驱动通道数：单路
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A，9A
是否隔离：反相
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Littelfuse
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609SITR
上升时间：22ns，15ns
驱动配置：低端
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
峰值灌电流：9A，9A
电源电压：4.5V~35V
负载类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
包装方式：卷带（TR）
驱动通道数：单路
是否隔离：非反相
包装清单：商品主体 * 1
库存：
