品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:8V~20V
峰值灌电流:500mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
峰值灌电流:500mA
下降时间:20ns
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:8V~20V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
驱动配置:半桥
峰值拉电流:1A
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~125℃
上升时间:40ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP1392DDR2G
峰值灌电流:500mA
下降时间:20ns
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:8V~20V
包装方式:卷带(TR)
驱动配置:半桥
峰值拉电流:1A
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~125℃
上升时间:40ns
包装清单:商品主体 * 1
库存: