品牌:ST
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):490psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE101
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET;IGBT
电源电压:9V~20V
驱动配置:半桥
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):490psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE101
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET;IGBT
电源电压:9V~20V
驱动配置:半桥
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):490psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE101
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET;IGBT
电源电压:9V~20V
驱动配置:半桥
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):490psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE101
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET;IGBT
电源电压:9V~20V
驱动配置:半桥
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):490psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE101
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET;IGBT
电源电压:9V~20V
驱动配置:半桥
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE101TR
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET;IGBT
电源电压:9V~20V
特性:过流保护(OCP);过热保护(OPT)
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE101TR
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET;IGBT
电源电压:9V~20V
特性:过流保护(OCP);过热保护(OPT)
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE101TR
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET;IGBT
电源电压:9V~20V
特性:过流保护(OCP);过热保护(OPT)
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE101TR
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET;IGBT
电源电压:9V~20V
特性:过流保护(OCP);过热保护(OPT)
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):490psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE101
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET;IGBT
电源电压:9V~20V
驱动配置:半桥
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE101TR
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET;IGBT
电源电压:9V~20V
特性:过流保护(OCP);过热保护(OPT)
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):490psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE101
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET;IGBT
电源电压:9V~20V
驱动配置:半桥
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):490psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE101
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET;IGBT
电源电压:9V~20V
驱动配置:半桥
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):490psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE101
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET;IGBT
电源电压:9V~20V
驱动配置:半桥
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STDRIVE101TR
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:MOSFET;IGBT
电源电压:9V~20V
特性:过流保护(OCP);过热保护(OPT)
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21271STRPBF
负载类型:MOSFET;IGBT
工作温度:-40℃~+150℃
峰值拉电流:290mA
峰值灌电流:600mA
上升时间:80ns
驱动配置:高边
电源电压:9V~20V
包装方式:卷带(TR)
下降时间:40ns
驱动通道数:1
包装清单:商品主体 * 1
库存: