品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271SPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271PBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21271STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271PBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21271STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"19+":2800,"22+":2828}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271PBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271PBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"19+":67,"22+":26743}
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271SPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271PBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21271STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRS21271STR
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271SPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21271STRPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRS21271STR
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271SPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271PBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"22+":5586}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRS21271STR
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271STRPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRS21271STR
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271STRPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271PBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21271STRPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRS21271STR
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR21271PBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21271STRPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:9V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: