品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
驱动通道数:1
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:12V~18V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
驱动通道数:1
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:12V~18V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"18+":852,"21+":43059,"22+":5400,"23+":10050}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:12V~18V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"18+":852,"21+":43059,"22+":5400,"23+":10050}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:12V~18V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:12V~18V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:12V~18V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
驱动通道数:1
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:12V~18V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
驱动通道数:1
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:12V~18V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"18+":852,"21+":43059,"22+":5400,"23+":10050}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:12V~18V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
驱动通道数:1
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:12V~18V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
驱动通道数:1
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:12V~18V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
驱动通道数:1
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:12V~18V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"18+":852,"21+":43059,"22+":5400,"23+":10050}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:12V~18V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"18+":852,"21+":43059,"22+":5400,"23+":10050}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:12V~18V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:12V~18V
峰值灌电流:1.6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
生产批次:{"18+":852,"21+":43059,"22+":5400,"23+":10050}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
峰值灌电流:1.6A
下降时间:26ns
驱动配置:低端
电源电压:12V~18V
包装方式:管件
峰值拉电流:3.3A
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
峰值灌电流:1.6A
下降时间:26ns
驱动配置:低端
电源电压:12V~18V
包装方式:管件
峰值拉电流:3.3A
工作温度:-40℃~150℃
驱动通道数:1
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IR2121PBF
上升时间:43ns
峰值灌电流:1.6A
下降时间:26ns
驱动配置:低端
电源电压:12V~18V
包装方式:管件
峰值拉电流:3.3A
工作温度:-40℃~150℃
驱动通道数:1
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存: