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品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5183DR2G
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ECCN：EAR99
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"23+"：27500，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
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ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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生产批次：{"23+"：27500，"MI+"：5000}
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规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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分类：门极驱动器
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规格型号(MPN)：NCV5183DR2G
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
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分类：门极驱动器
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规格型号(MPN)：NCV5183DR2G
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ECCN：EAR99
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负载类型：N沟道MOSFET
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规格型号(MPN)：NCV5183DR2G
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
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规格型号(MPN)：NCV5183DR2G
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峰值拉电流：4.3A
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包装方式：卷带（TR）
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规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
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规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
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ECCN：EAR99
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规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
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规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
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包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：其他
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规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
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ECCN：EAR99
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行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"23+"：2500}
销售单位：个
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规格型号(MPN)：NCV5183DR2G
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行业应用：其他
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行业应用：其他
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负载类型：N沟道MOSFET
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包装方式：卷带（TR）
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行业应用：其他
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行业应用：其他
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包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：其他
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规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
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峰值拉电流：4.3A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：其他
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规格型号(MPN)：NCP5183DR2G
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ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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峰值拉电流：4.3A
电源电压：9V~18V
峰值灌电流：4.3A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5183DR2G
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.3A
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驱动配置：半桥
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
