采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27524AQDRQ1
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4421CAT
上升时间：60ns
驱动通道数：1
下降时间：60ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3224TMX
上升时间：12ns
驱动通道数：2
下降时间：9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3227CMPX
上升时间：12ns
驱动通道数：2
下降时间：9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1415T-E/OT
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422AVOA713
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"21+"：5000，"22+"：16850，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3224TMX-F085
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4420EOA713
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3226TMX
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27511DBVR
上升时间：8ns
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4405CPA
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4427COA
上升时间：19ns
驱动通道数：2
下降时间：19ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4451ZT
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：24ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：12A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：12A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4427YN
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14E11-E/P
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP14A1201-E/SN
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：12A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：12A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1404-E/SN
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4451YM
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：12A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：12A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4428YM
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：2128
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4427AEOA
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3225TMPX
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27517AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3227TMX
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4452ZT
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：24ns
工作温度：0℃~70℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：12A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：12A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4421AVOA
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3226TMX-F085
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27526DSDR
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4224YMME-TR
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SII
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC426EOA713
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~85℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27524DSDT
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
