包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421CAT

上升时间：60ns

驱动通道数：1

下降时间：60ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4451ZT

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：12A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：12A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4452ZT

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：12A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：12A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4452YN

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：12A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：12A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1407-E/AT

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422CAT

上升时间：60ns

驱动通道数：1

下降时间：60ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4422ZT

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4451VAT

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：13A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：13A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4420YN

上升时间：12ns

驱动通道数：1

下降时间：13ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4420YN

上升时间：12ns

驱动通道数：1

下降时间：13ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4452VAT

上升时间：30ns

驱动通道数：1

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：13A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：13A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422CAT

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：60ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4421ZT

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4429ZT

上升时间：12ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：13ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4421ZN

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4452YN

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：12A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：12A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4421ZN

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421AVAT

上升时间：38ns

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVAT

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCP1407-E/AT

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVAT

上升时间：38ns

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4452VAT

上升时间：30ns

驱动通道数：1

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：13A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：13A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4422YN

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4451ZT

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：12A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：12A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4451ZT

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：12A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：12A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4452ZT

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：12A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：12A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4452ZT

上升时间：20ns

驱动通道数：1

下降时间：24ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：12A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：12A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVAT

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4429CAT

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4429CAT

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1